遲滯非線性特性存在于壓力傳感器

　 遲滯非線性特性廣泛存在于傳感器、壓電陶瓷、鐵磁體、半導(dǎo)體材料及智能材料等領(lǐng)域，擴(kuò)散硅壓力傳感器作為一種性能優(yōu)良的測(cè)量壓力的傳感器廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域。但擴(kuò)散硅壓力傳感器本身也存在遲滯非線性特性，限制了測(cè)量的精度。

　遲滯可由壓力傳感器內(nèi)部元件存在能量的吸引造成，主要由下面幾個(gè)因素造成

　 第一就是材料，任何一種半導(dǎo)體材料因?yàn)槠鋬?nèi)部的組織結(jié)構(gòu)關(guān)系的復(fù)雜性，受到外力加壓后在微小晶粒之間會(huì)產(chǎn)生微應(yīng)變，當(dāng)外力消失后，微應(yīng)變隨之消失，但是不一定恢復(fù)到原來(lái)的狀態(tài)，不同材料有不同的遲滯特性。

　 第二就是安裝條件，如表面狀況、安裝扭力等是最大的影響因素。另一方面是指壓力傳感器在使用現(xiàn)場(chǎng)的安裝條件，如表面狀況、接觸面積、安裝扭力、螺栓強(qiáng)度、承載面硬度等均會(huì)影響。

　 第三就是一些其它的因素，比如秤臺(tái)強(qiáng)度、基礎(chǔ)堅(jiān)固性、防塵防水等因素。

　 集成電路加工技術(shù)由三大摹本技術(shù)組成：平面電子工藝技術(shù)；有選擇的化學(xué)腐蝕技術(shù)和機(jī)械切割技術(shù)。這三項(xiàng)技術(shù)都能進(jìn)行三維加工。

　 平面電子工藝技術(shù)是把在硅表面生成的氧化膜作為一種掩膜，在具有掩膜的硅單晶上進(jìn)行具有空間選擇的擴(kuò)散和腐蝕加工。所以平面電子工藝技術(shù)包括照相制版技術(shù)、雜質(zhì)擴(kuò)散技術(shù)、離子注入技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)等。利用有選擇的化學(xué)腐蝕技術(shù)能對(duì)由平面電子工藝技術(shù)制作而成的氧化物掩膜和已擴(kuò)散了雜質(zhì)的半導(dǎo)體物體空間進(jìn)行有選擇的化學(xué)腐蝕加工。

　 利用這種技術(shù)可以在特定方向上把硅體腐蝕掉，可以進(jìn)行三維加工。這種微加工技術(shù)可以把物體加工成極微細(xì)的可動(dòng)部件，如應(yīng)力桿狀物，開(kāi)關(guān)甚至馬達(dá)等。

　 壓力傳感器講述到美國(guó)斯坦福大學(xué)已把過(guò)去相當(dāng)大的連搬遙都困難的氣相色譜儀集成在直徑5cm的硅片上，制成超小型氣相色譜儀，現(xiàn)在的傳感器概念已跳出原來(lái)含義的小圈子，而是以微型、集成化和智能化為特征的微系統(tǒng)。

　 該微系統(tǒng)除具有自測(cè)試、自校準(zhǔn)和數(shù)字補(bǔ)償?shù)奈⑻幚砥髦猓€具有微執(zhí)行器?，F(xiàn)代的微細(xì)加工技術(shù)已把微傳感器、微處理器和微執(zhí)行器集成在一塊硅片上構(gòu)成微系統(tǒng)。





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